后摩智能确认其下一代大模型端边AI芯片采用3D存算一体架构后摩智能确认,下代大模型端边AI芯片将采用结合3D DRAM的3D CIM存算一体架构,垂直堆叠可望在同等面积下实现两倍算力,并优化功耗与散热
后摩智能确认,下代大模型端边AI芯片将采用结合3D DRAM的3D CIM存算一体架构,垂直堆叠可望在同等面积下实现两倍算力,并优化功耗与散热。
来源:IT之家
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