ASML下一代光刻机进展：5纳米分辨率，预计10年内落地

ASML与蔡司论文披露Hyper NA EUV光刻方案，目标将数值孔径提升至至少0.75、实现5nm最小图案特征尺寸，预计约10年内具备应用条件。方案可复用现有光源、掩模基础设施和设备平台，但商业化仍待确认，主要挑战包括景深降低、焦点控制及更薄光刻胶。

来源：腾讯新闻