长鑫存储宣布预计于今年底推出基于4F²架构的新一代DDR5服务器RDIMM内存，核心采用自研VSG晶体管。其G5平台已量产LPDDR5X产品，长鑫称新架构可提升存储密度、降低成本与功耗，并计划持续推进G6、G7及产能扩张；相关技术领先程度和未来产能目标部分仍属预测。
来源：腾讯新闻
长鑫存储宣布预计于今年底推出基于4F²架构的新一代DDR5服务器RDIMM内存，核心采用自研VSG晶体管。其G5平台已量产LPDDR5X产品，长鑫称新架构可提升存储密度、降低成本与功耗，并计划持续推进G6、G7及产能扩张；相关技术领先程度和未来产能目标部分仍属预测。
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