三星将采用台积电 3nm 工艺为英伟达生产下一代 HBM 基底裸片

据韩媒报道，三星将采用台积电3纳米工艺，为英伟达定制的下一代HBM4E生产基底裸片，核心裸片则采用三星1c工艺。此举是为统一供应商制造方案、提升性能一致性；三星仍保留在自有产线上生产该产品的预案。

来源：IT之家