消息称英伟达下代Groq LPU芯片转向3D堆叠DRAM，放弃大SRAM方案

韩媒称，英伟达下一代Groq LPU AI推理加速器芯片有望采用基于TSV工艺的3D堆叠DRAM，以弥补当前大容量SRAM方案容量和制程密度方面的局限；具体方案尚未确认。

来源：IT之家