三星电子、SK海力士升级中国工厂，生产更先进闪存芯片

据路透社，三星电子和SK海力士正升级中国工厂，计划生产200层以上NAND闪存。三星拟将西安工厂改造为286层V9 NAND，目标2026年12月月产5000片晶圆、2027年12月增至4万片；SK海力士拟将大连工厂产线升级至240层以上。

来源：IT之家