从HBM限高到NAND加量:英伟达与存储供应商谁更占上风?
文章分析AI存储需求增长下HBM的容量、带宽与成本取舍:扩大容量可通过增加堆叠层数、采用多排内存或引入基于NAND的HBF实现,但分别面临工艺、带宽和延迟限制;HBM层数可能因DRAM产能、成本及GPU互联变化而减少。未来或形成HBM、DDR、HBF和SSD协同的分层存储架构,产业价值将取决于需求更偏向容量还是带宽。
来源:华尔街见闻
文章分析AI存储需求增长下HBM的容量、带宽与成本取舍:扩大容量可通过增加堆叠层数、采用多排内存或引入基于NAND的HBF实现,但分别面临工艺、带宽和延迟限制;HBM层数可能因DRAM产能、成本及GPU互联变化而减少。未来或形成HBM、DDR、HBF和SSD协同的分层存储架构,产业价值将取决于需求更偏向容量还是带宽。
来源:华尔街见闻