High-NA EUV采用0.55 NA后，曝光视场缩小一半，6×6英寸掩模版难以满足大型芯片量产需求。ASML、台积电等推动6×12英寸大尺寸掩模版，计划2031年建设试验线、2033年支持先进节点量产，以减少拼接、提升效率并降低成本。该转型还涉及掩模基板、写版、检测、载具和Pellicle等产业链重构，预计先用于先进逻辑芯片，未必立即取代传统规格。
来源：腾讯新闻
High-NA EUV采用0.55 NA后，曝光视场缩小一半，6×6英寸掩模版难以满足大型芯片量产需求。ASML、台积电等推动6×12英寸大尺寸掩模版，计划2031年建设试验线、2033年支持先进节点量产，以减少拼接、提升效率并降低成本。该转型还涉及掩模基板、写版、检测、载具和Pellicle等产业链重构，预计先用于先进逻辑芯片，未必立即取代传统规格。
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