1nm之后晶体管架构探索：泛林集团研究SA-CFET，SRAM单元面积较N3缩小52.7%

泛林集团提出自对准互补场效应晶体管（SA-CFET）架构，探索将CMOS推进至10Å及以下节点。该方案通过自对准埋入式电源轨、触点和硅通孔等工艺模块，缓解CFET集成中的接触拥挤和套刻难题。数字孪生建模显示，其6T SRAM单元面积较N3缩小52.7%，但目前仍处于仿真验证阶段，距离量产尚需硬件数据支持。

来源：IT之家